简而言之，通过溶胶-凝胶工艺在硅纳米颗粒上涂覆 TiO2，然后运用壳聚糖作为交联剂，将核壳结构的 Si/TiO2 与 GO 拼装在一起，接着在氨/氩（NH3/Ar）气氛下进行冷冻干燥、限制和退火。在这种结构中，TiO2 和 rGO 为硅供给了两层维护，并形成了一条接连的导电途径。此外，NH3 和壳聚糖的氮掺杂逐步增强了锂存储功能。所制备的 Si/TiO2/rGO 薄膜电极在宽电流密度范围内均表现出优异的速率功能，在 200 mA g-1 下运转 200 个循环后，其可逆容量仍坚持在 1333.8mAh g-1 的水平。

  图6. 通过 200 次循环（电流密度：200 mA g-1）后，Si/TiO2/rGO 薄膜在不同扩大倍数下的扫描电镜图画。

  总归，在不运用粘结剂和导电剂的情况下，成功制备出了自立式 Si/TiO2/rGO 薄膜电极。自立结构的规划使 Si/TiO2/rGO 具有十分杰出的柔韧性和优异的锂存储功能。特别是，在 200 mA g-1 下运转 200 个循环后，放电容量仍坚持在 1333.8 mAh g-1，并且电极坚持本来结构，完好无缺。信任这项作业将为推进柔性锂离子电池的开展奠定坚实的资料根底。